威廉·加德纳·普凡

威廉·加德纳·普凡(William Gardner Pfann,昵称"比尔"(Bill)[1],1917年10月27日—1982年10月22日)是贝尔实验室发明家材料科学家。普凡因开发半导体产业英语Semiconductor industry用的区域熔炼技术而赫赫有名。贝尔实验室的官方历史这么记载道:"由威廉·加德纳·普凡开发的区域精炼是划时代的发明...它是让锗与硅中的杂质能被吾人控制的重大贡献"(Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.)。[2]

早年

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普凡生于纽约市布鲁克林。1935年普凡年仅18岁就展现了对材料科学的才能,没有大学学历就进入了贝尔实验室的化学研究部门。后来到柯柏联盟学院的夜校上学,才于1940年取得化学工程的学士学位。[3]:198

在贝尔实验室,普凡加入威廉·肖克利意图以半导体取代真空管的工作。本来他们采用,1945年用锗做出了高逆压整流器。[3]:124 普凡想出了最早的一种点接式晶体管英语Point-contact transistor,他改良了西方电气英语Western Electric的1N26型点接二极管使其成为三极放大器,后来被称为A型晶体管(Type A transistor)。[4]

突破

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晚年

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1973年,普凡成为第一位摩尔杰出成就固态科学科技奖章英语Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology的受奖者。 1975年,普凡被推选为美国国家科学院院士。1976年获美国物理联合会授予麦克格罗迪新材料奖英语James C. McGroddy Prize for New Materials

注记

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  1. ^ 存档副本. [2017-10-22]. (原始内容存档于2013-07-09). 
  2. ^ S. Millman editor (1983) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 4: Physical Sciences, p 580, 贝尔实验室 ISBN 0-932764-03-7
  3. ^ 3.0 3.1 Riordan, Michael; Lillian Hoddeson. Crystal fire : the birth of the information age 1st. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-04124-7. 
  4. ^ F.M. Smits (1985) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 6: Electronics Technology, p 12, Bell Labs, ISBN 0-932764-07-X

参考文献

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  • Kenneth A. Jackson, Harry J. Leamy & Richard S. Wagner (February 1983) "William G. Pfann", 今日物理英语Physics Today 36:88.