原始文件(SVG文件,尺寸为480 × 320像素,文件大小:10 KB)


摘要

描述
English: Current vs Voltage curves of a MOSFET operating in the ohmic region and a diode. At low current values, the voltage drop in the MOSFET is less than in the diode (due to its threshold voltage). When the current increases, the forward voltage drop of the diode does not increase as much as that of the MOSFET. In consequence, for high currents, the losses (current times voltage) are less in the diode than in the MOSFET. However, by connecting several MOSFETs in parallel, it is possible to reduce their RDSon as can be seen in the figure (magenta curve). Paralleling several diodes will not modify their threshold voltage. Created using maxima
Русский: Зависимости тока от напряжения для полевого МОП-транзистора, работающего в омической области, и диода. При малых значениях тока падение напряжения на MOSFET меньше, чем на диоде (из-за его прямого падения напряжения). Когда ток увеличивается, прямое падение напряжения на диоде не увеличивается так быстро, как на MOSFET. Как следствие, для больших токов потери (ток, умноженный на напряжение) в диоде меньше, чем в MOSFET. Однако, подключив несколько полевых МОП-транзисторов параллельно, можно уменьшить их сопротивление во включённом состоянии, как показано на рисунке (пурпурная кривая). Параллельное соединение нескольких диодов не изменит их пороговое напряжение и выигрыш в рассеиваемой мощности будет незначительным.
日期
来源 File:Diode mosfet.png
作者 User:CyrilB
其他版本
SVG开发
InfoField
 
SVG的源代码为有效代码
 
矢量图使用Gnuplot创作, and then manually validated.
 
此SVG 文件使用了内嵌文本,其中只包含数字。
源代码
InfoField
Gnuplot code
diode(x) := 0.026*log(x*1e9+1);
MOSFET(x) := x*0.02;
MOSFET2(x) := x*0.01;
load(draw);
draw2d(terminal=svg,file_name="Diode_mosfet",dimensions=[480,320],
  color=black,font="Times",font_size=10,nticks=75,proportional_axes=none,
  user_preamble="set termoption enhanced;set mxtics; set mytics; set key bottom right",
  xtics_axis=false,ytics_axis=false,grid=true,points_joined=true,yrange=[0,1],
  xaxis=false,yaxis=true,axis_top=true,axis_bottom=true,axis_left=true,axis_right=true,
  line_width=2,/*label(["x",1.,0.1],["y",0.1,1.]),*/xlabel="Current [A]",ylabel="Voltage [V]",
  color=blue,key="Diode",explicit(diode(x),x,0,60),
  color=red,key="MOSFET R_{DSon}=20 mO",explicit(MOSFET(x),x,0,60),
  color=magenta,key="MOSFET R_{DSon}=10 mO",explicit(MOSFET2(x),x,0,60),key="",
  color=black,line_type=dots,line_width=0.75,head_both=true,head_type=nofilled,
  point_type=dot,head_angle=20,head_length=1,
  vector([0,0.7],[31.6,0]),vector([31.6,.7],[60-31.6,0]),points([ [31.6,.6],[31.6,.72] ]),
  label(["less losses in the 20 mO MOSFET",16,.72],["less losses in the diode",50,.72])
 );

许可协议

w:zh:知识共享
署名 相同方式共享
您可以自由地:
  • 共享 – 复制、发行并传播本作品
  • 修改 – 改编作品
惟须遵守下列条件:
  • 署名 – 您必须对作品进行署名,提供授权条款的链接,并说明是否对原始内容进行了更改。您可以用任何合理的方式来署名,但不得以任何方式表明许可人认可您或您的使用。
  • 相同方式共享 – 如果您再混合、转换或者基于本作品进行创作,您必须以与原先许可协议相同或相兼容的许可协议分发您贡献的作品。
w:zh:知识共享
署名 相同方式共享
本文件采用知识共享署名-相同方式共享 2.5 通用许可协议授权。
您可以自由地:
  • 共享 – 复制、发行并传播本作品
  • 修改 – 改编作品
惟须遵守下列条件:
  • 署名 – 您必须对作品进行署名,提供授权条款的链接,并说明是否对原始内容进行了更改。您可以用任何合理的方式来署名,但不得以任何方式表明许可人认可您或您的使用。
  • 相同方式共享 – 如果您再混合、转换或者基于本作品进行创作,您必须以与原先许可协议相同或相兼容的许可协议分发您贡献的作品。

说明

添加一行文字以描述该文件所表现的内容

此文件中描述的项目

描繪內容

文件历史

点击某个日期/时间查看对应时刻的文件。

日期/时间缩⁠略⁠图大小用户备注
当前2018年1月14日 (日) 14:562018年1月14日 (日) 14:56版本的缩略图480 × 320(10 KB)JoKalliauersimplified code, better human readable, easier to correct, changed to fonts available by Wikipedia, put fonts in the most upper layer
2011年5月27日 (五) 17:102011年5月27日 (五) 17:10版本的缩略图480 × 320(28 KB)Krishnavedalavalid svg
2011年5月27日 (五) 05:182011年5月27日 (五) 05:18版本的缩略图480 × 320(28 KB)Krishnavedalafixed font size
2011年5月27日 (五) 05:162011年5月27日 (五) 05:16版本的缩略图480 × 320(28 KB)Krishnavedalafixed the fontsize and dimensions again
2011年5月27日 (五) 05:102011年5月27日 (五) 05:10版本的缩略图600 × 500(28 KB)Krishnavedalafixed font size and dimensions
2011年5月27日 (五) 05:052011年5月27日 (五) 05:05版本的缩略图800 × 560(28 KB)Krishnavedala

以下页面使用本文件:

全域文件用途

以下其他wiki使用此文件:

元数据